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100%: Henning Döscher: Gap Heteroepitaxy On Si(100): Benchmarking Surface Signals When Growing Gap On Si In Cvd Ambients (ISBN: 9783319379555) 2016, in Englisch.Nur diese Ausgabe anzeigen…
93%: Döscher, Henning: GaP Heteroepitaxy on Si(100): Benchmarking Surface Signals when Growing GaP on Si in CVD Ambients (Springer Theses) (ISBN: 9783319028798) 2013, in Deutsch, Broschiert.Nur diese Ausgabe anzeigen…
87%: Henning Döscher: GaP Heteroepitaxy on Si(100): Benchmarking Surface Signals when Growing GaP on Si in CVD Ambients (Springer Theses) (ISBN: 9783319028804) 2013, 2013. Ausgabe, in Englisch, auch als eBook.Nur diese Ausgabe anzeigen…
Gap Heteroepitaxy On Si(100): Benchmarking Surface Signals When Growing Gap On Si In Cvd Ambients
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| Preise | 2016 | 2019 | 2021 |
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| Schnitt | € 126,35 | € 81,13 | € 99,98 |
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GaP Heteroepitaxy on Si(100)
DE PB NWISBN: 9783319379555 bzw. 3319379550, in Deutsch, Springer Shop, Taschenbuch, neu.
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Epitaxial integration of III-V semiconductors on silicon substrates has been desired over decades for high application potential in microelectronics, photovoltaics, and beyond. The performance of optoelectronic devices is still severely impaired by critical defect mechanisms driven by the crucial polar-on-nonpolar heterointerface. This thesis reports almost lattice-matched growth of thin gallium phosphide films as a viable model system for III-V/Si(100) interface investigations. The impact of antiphase disorder on the heteroepitaxial growth surface provides quantitative optical in situ access to one of the most notorious defect mechanisms, even in the vapor phase ambient common for compound semiconductor technology. Precise control over the surface structure of the Si(100) substrates prior to III-V nucleation prevents the formation of antiphase domains. The hydrogen-based process ambient enables the preparation of anomalous double-layer step structures on Si(100), highly beneficial for subsequent III-V integration. Soft cover.
Epitaxial integration of III-V semiconductors on silicon substrates has been desired over decades for high application potential in microelectronics, photovoltaics, and beyond. The performance of optoelectronic devices is still severely impaired by critical defect mechanisms driven by the crucial polar-on-nonpolar heterointerface. This thesis reports almost lattice-matched growth of thin gallium phosphide films as a viable model system for III-V/Si(100) interface investigations. The impact of antiphase disorder on the heteroepitaxial growth surface provides quantitative optical in situ access to one of the most notorious defect mechanisms, even in the vapor phase ambient common for compound semiconductor technology. Precise control over the surface structure of the Si(100) substrates prior to III-V nucleation prevents the formation of antiphase domains. The hydrogen-based process ambient enables the preparation of anomalous double-layer step structures on Si(100), highly beneficial for subsequent III-V integration. Soft cover.
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Gap Heteroepitaxy On Si(100): Benchmarking Surface Signals When Growing Gap On Si In Cvd Ambients
DE NWISBN: 9783319379555 bzw. 3319379550, in Deutsch, Springer Nature, neu.
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Henning Döscher, Books, Science and Nature, Gap Heteroepitaxy On Si(100): Benchmarking Surface Signals When Growing Gap On Si In Cvd Ambients, Epitaxial integration of III-V semiconductors on silicon substrates has been desired over decades for high application potential in microelectronics, photovoltaics, and beyond. The performance of optoelectronic devices is still severely impaired by critical defect mechanisms driven by the crucial polar-on-nonpolar heterointerface. This thesis reports almost lattice-matched growth of thin gallium phosphide films as a viable model system for III-V/Si(100) interface investigations. The impact of antiphase disorder on the heteroepitaxial growth surface provides quantitative optical in situ access to one of the most notorious defect mechanisms, even in the vapor phase ambient common for compound semiconductor technology. Precise control over the surface structure of the Si(100) substrates prior to III-V nucleation prevents the formation of antiphase domains. The hydrogen-based process ambient enables the preparation of anomalous double-layer step structures on Si(100), highly beneficial for subsequent III-V integration.
Henning Döscher, Books, Science and Nature, Gap Heteroepitaxy On Si(100): Benchmarking Surface Signals When Growing Gap On Si In Cvd Ambients, Epitaxial integration of III-V semiconductors on silicon substrates has been desired over decades for high application potential in microelectronics, photovoltaics, and beyond. The performance of optoelectronic devices is still severely impaired by critical defect mechanisms driven by the crucial polar-on-nonpolar heterointerface. This thesis reports almost lattice-matched growth of thin gallium phosphide films as a viable model system for III-V/Si(100) interface investigations. The impact of antiphase disorder on the heteroepitaxial growth surface provides quantitative optical in situ access to one of the most notorious defect mechanisms, even in the vapor phase ambient common for compound semiconductor technology. Precise control over the surface structure of the Si(100) substrates prior to III-V nucleation prevents the formation of antiphase domains. The hydrogen-based process ambient enables the preparation of anomalous double-layer step structures on Si(100), highly beneficial for subsequent III-V integration.
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GaP Heteroepitaxy on Si(100)
EN NWISBN: 9783319379555 bzw. 3319379550, in Englisch, neu.
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GaP Heteroepitaxy on Si(100): Benchmarking Surface Signals When Growing GaP on Si in CVD Ambients
DE HC NWISBN: 9783319028798 bzw. 3319028790, in Deutsch, Springer International Publishing AG, gebundenes Buch, neu.
Von Händler/Antiquariat, BuySomeBooks [52360437], Las Vegas, NV, U.S.A.
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Gap Heteroepitaxy on Si(100): Benchmarking Surface Signals When Growing Gap on Si in CVD Ambients
DE PB NWISBN: 9783319379555 bzw. 3319379550, in Deutsch, Springer, Taschenbuch, neu.
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Taal: Engels;ISBN10: 3319379550;ISBN13: 9783319379555; Engelstalig | Paperback.
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Taal: Engels;ISBN10: 3319379550;ISBN13: 9783319379555; Engelstalig | Paperback.
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Gap Heteroepitaxy on Si(100): Benchmarking Surface Signals When Growing Gap on Si in Cvd Ambients (2013)
DE HC NWISBN: 9783319028798 bzw. 3319028790, in Deutsch, Springer Verlag, gebundenes Buch, neu.
Von Händler/Antiquariat, Revaluation Books [2134736], Exeter, United Kingdom.
143 pages. 9.25x6.25x0.50 inches. In Stock.
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GaP Heteroepitaxy on Si(100): Benchmarking Surface Signals when Growing GaP on Si in CVD Ambients
DE PB NWISBN: 9783319379555 bzw. 3319379550, in Deutsch, Springer International Publishing, Taschenbuch, neu.
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GaP Heteroepitaxy on Si(100) (2013)
DE NW RPISBN: 9783319028798 bzw. 3319028790, in Deutsch, Springer Dez 2013, neu, Nachdruck.
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GaP Heteroepitaxy on Si(100)
~DE HC NWISBN: 9783319028798 bzw. 3319028790, vermutlich in Deutsch, Springer Shop, gebundenes Buch, neu.
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GaP Heteroepitaxy on Si(100) (2013)
DE NWISBN: 9783319028798 bzw. 3319028790, in Deutsch, Springer International Publishing AG, neu.
Von Händler/Antiquariat, Books2Anywhere [190245], Fairford, GLOS, United Kingdom.
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