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100%: Gaudenzio Meneghesso; Matteo Meneghini; Enrico Zanoni: Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion (ISBN: 9783319779942) 2018, in Englisch, auch als eBook.Nur diese Ausgabe anzeigen…
100%: Meneghesso, Gaudenzio (Herausgeber); Zanoni, Enrico (Herausgeber); Meneghini, Matteo (Herausgeber): Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion (ISBN: 9783319779935) 2018, Erstausgabe, in Englisch, Broschiert.Nur diese Ausgabe anzeigen…
Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion
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| Preise | 2018 | 2019 | 2022 |
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Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion (2018)
~EN HC NWISBN: 9783319779935 bzw. 3319779931, vermutlich in Englisch, Springer / Springer International Publishing / Springer, Berlin, gebundenes Buch, neu.
Von Händler/Antiquariat, buecher.de GmbH & Co. KG, [1].
This book demonstrates to readers why Gallium Nitride (GaN) transistors have a superior performance as compared to the already mature Silicon technology. The new GaN-based transistors here described enable both high frequency and high efficiency power conversion, leading to smaller and more efficient power systems. Coverage includes i) GaN substrates and device physics; ii) innovative GaN -transistors structure (lateral and vertical); iii) reliability and robustness of GaN-power transistors; iv) impact of parasitic on GaN based power conversion, v) new power converter architectures and vi) GaN in switched mode power conversion. Provides single-source reference to Gallium Nitride (GaN)-based technologies, from the material level to circuit level, both for power conversions architectures and switched mode power amplifiers; Demonstrates how GaN is a superior technology for switching devices, enabling both high frequency, high efficiency and lower cost power conversion; Enables design of smaller, cheaper and more efficient power supplies. 1st ed. 2018. 2018. xiii, 232 S. XIII, 232 p. 183 illus., 165 illus. in color. 235 mm Versandfertig in 6-10 Tagen, Hardcover, Neuware, Offene Rechnung (Vorkasse vorbehalten).
Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion (2018)
EN NW EB DLISBN: 9783319779942 bzw. 331977994X, in Englisch, Springer, Springer, Springer, neu, E-Book, elektronischer Download.
This book demonstrates to readers why Gallium Nitride (GaN) transistors have a superior performance as compared to the already mature Silicon technology. The new GaN-based transistors here described enable both high frequency and high efficiency p.
Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion
~EN NW EB DLISBN: 9783319779942 bzw. 331977994X, vermutlich in Englisch, Springer Shop, neu, E-Book, elektronischer Download.
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Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion (2018)
~EN NW EB DLISBN: 9783319779942 bzw. 331977994X, vermutlich in Englisch, Springer International Publishing, neu, E-Book, elektronischer Download.
eBooks, eBook Download (PDF), 1st ed. 2018.
Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion (2018)
~EN HC NWISBN: 9783319779935 bzw. 3319779931, vermutlich in Englisch, Springer International Publishing, gebundenes Buch, neu.
Buch, Hardcover, 1st ed. 2018.
Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion (Integrated Circuits and Systems) (2018)
EN HC NW FEISBN: 9783319779935 bzw. 3319779931, in Englisch, 266 Seiten, Springer, gebundenes Buch, neu, Erstausgabe.
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Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion (2018)
~EN NWISBN: 3319779931 bzw. 9783319779935, vermutlich in Englisch, Springer International Publishing, neu.
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Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion
DE NW EBISBN: 9783319779942 bzw. 331977994X, in Deutsch, Springer Nature, neu, E-Book.
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Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion
DE HC NWISBN: 9783319779935 bzw. 3319779931, in Deutsch, Springer International Publishing, gebundenes Buch, neu.
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