Von dem Buch Zur analogen Großsignalaussteuerung von Feldeffekttransistoren unter Berücksichtigung des Subthreshold-Gebietes (Forschungsberichte des Landes Nordrhein-Westfalen / Fachgruppe Elektrotechnik/Optik) haben wir 2 gleiche oder sehr ähnliche Ausgaben identifiziert!
Falls Sie nur an einem bestimmten Exempar interessiert sind, können Sie aus der folgenden Liste jenes wählen, an dem Sie interessiert sind:
100%: Gad, Horst: Zur analogen Großsignalaussteuerung von Feldeffekttransistoren unter Berücksichtigung des Subthreshold-Gebietes (Forschungsberichte des Landes Nordrhein-Westfalen / Fachgruppe Elektrotechnik/Optik) (ISBN: 9783531030135) in Deutsch, Taschenbuch.Nur diese Ausgabe anzeigen…
80%: Horst Gad: Zur analogen Grosignalaussteuerung von Feldeffekttransistoren unter Berucksichtigung des Subthreshold-Gebietes (ISBN: 9783322876706) in Deutsch, Taschenbuch.Nur diese Ausgabe anzeigen…
Zur analogen Großsignalaussteuerung von Feldeffekttransistoren unter Berücksichtigung des Subthreshold-Gebietes (Forschungsberichte des Landes Nordrhein-Westfalen / Fachgruppe Elektrotechnik/Optik)
9 Angebote vergleichen
| Preise | 2013 | 2014 | 2015 | 2017 |
|---|---|---|---|---|
| Schnitt | € 49,95 | € 50,05 | € 63,03 | € 54,99 |
| Nachfrage |
1
Symbolbild
Zur analogen Großsignalaussteuerung von Feldeffekttransistoren unter Berücksichtigung des Subthreshold-Gebietes (1981)
DE PB NW RPISBN: 9783531030135 bzw. 3531030132, in Deutsch, VS-Verlag, Wiesbaden, Deutschland, Taschenbuch, neu, Nachdruck.
Von Händler/Antiquariat, AHA-BUCH GmbH [51283250], Einbeck, NDS, Germany.
This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware - 1. Einführung.- 2. Analytische und experimentelle Erfassung des analogen Großsignalbetriebs von Feldeffekttransistoren ohne Berücksichtigung dynamischer Effekte.- 3. Entwurf des Modells.- 3.1 Kennlinienmodell im Sättigungsgebiet für konstante Drain-Source-Spannung.- 3.2 Kennlinienmodell im Sättigungsgebiet für variable Drain-Source-Spannung.- 3.3 Differentielle Größen.- 3. 3. 1 Berechnung der Steilheit.- 3. 3. 2 Berechnung des Kanalleitwertes.- 3.4 Besonderheiten des Modells.- 3.5 Grenzen des Modells.- 4. Bestimmung der Parameter des Modells aus den gemessenen Kennlinien des Feldeffekttransistors.- 4.1 Bezugsspannung UDS0.- 4.2 Parameter Iq und ß.- 4.3 Parameter Uth.- 4.4 Parameter C.- 4.5 Parameter RS.- 4.6 Verhältnis UE/n.- 4.7 Parameter m und p.- 4.8 Parameter n, t und UE.- 4.9 Parameter von PNFET und MOSFET.- 5. Überprüfung des Modells.- 5.1 PNFET.- 5.2 MOSFET.- 6. Berechnung der Harmonischen des Drainstromes.- 7. Ermittlung der Harmonischen des Drainstromes der Sourceschaltung.- 7.1 Typische Kennlinien der Harmonischen des Drainstromes als Funktion der Gate-Source-Spannung.- 7.2 Harmonische des Drainstromes des PNFET in Sourceschaltung.- 7. 3 Harmonische des Drainstromes des MOSFET in Sourceschaltung.- 8. Zusammenfassung.- 9. Literatur. 68 pp. Deutsch.
This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware - 1. Einführung.- 2. Analytische und experimentelle Erfassung des analogen Großsignalbetriebs von Feldeffekttransistoren ohne Berücksichtigung dynamischer Effekte.- 3. Entwurf des Modells.- 3.1 Kennlinienmodell im Sättigungsgebiet für konstante Drain-Source-Spannung.- 3.2 Kennlinienmodell im Sättigungsgebiet für variable Drain-Source-Spannung.- 3.3 Differentielle Größen.- 3. 3. 1 Berechnung der Steilheit.- 3. 3. 2 Berechnung des Kanalleitwertes.- 3.4 Besonderheiten des Modells.- 3.5 Grenzen des Modells.- 4. Bestimmung der Parameter des Modells aus den gemessenen Kennlinien des Feldeffekttransistors.- 4.1 Bezugsspannung UDS0.- 4.2 Parameter Iq und ß.- 4.3 Parameter Uth.- 4.4 Parameter C.- 4.5 Parameter RS.- 4.6 Verhältnis UE/n.- 4.7 Parameter m und p.- 4.8 Parameter n, t und UE.- 4.9 Parameter von PNFET und MOSFET.- 5. Überprüfung des Modells.- 5.1 PNFET.- 5.2 MOSFET.- 6. Berechnung der Harmonischen des Drainstromes.- 7. Ermittlung der Harmonischen des Drainstromes der Sourceschaltung.- 7.1 Typische Kennlinien der Harmonischen des Drainstromes als Funktion der Gate-Source-Spannung.- 7.2 Harmonische des Drainstromes des PNFET in Sourceschaltung.- 7. 3 Harmonische des Drainstromes des MOSFET in Sourceschaltung.- 8. Zusammenfassung.- 9. Literatur. 68 pp. Deutsch.
2
Zur analogen Grosignalaussteuerung von Feldeffekttransistoren unter Berucksichtigung des Subthreshold-Gebietes
~DE PB NWISBN: 9783322876706 bzw. 3322876705, vermutlich in Deutsch, Teubner, Leipzig, Deutschland, Taschenbuch, neu.
Die Beschreibung dieses Angebotes ist von geringer Qualität oder in einer Fremdsprache. Trotzdem anzeigen
3
Symbolbild
Zur analogen Großsignalaussteuerung von Feldeffekttransistoren unter Berücksichtigung des Subthreshold-Gebietes (1981)
DE PB USISBN: 9783531030135 bzw. 3531030132, in Deutsch, VS-Verlag, Wiesbaden, Deutschland, Taschenbuch, gebraucht.
Von Händler/Antiquariat, Herb Tandree Philosophy Books [17426], Stroud, UK, United Kingdom.
Die Beschreibung dieses Angebotes ist von geringer Qualität oder in einer Fremdsprache. Trotzdem anzeigen
Die Beschreibung dieses Angebotes ist von geringer Qualität oder in einer Fremdsprache. Trotzdem anzeigen
4
Symbolbild
Zur analogen Großsignalaussteuerung von Feldeffekttransistoren unter Berücksichtigung des Subthreshold-Gebietes (1981)
DE PB USISBN: 9783531030135 bzw. 3531030132, in Deutsch, VS Verlag für Sozialwissenschaften, Taschenbuch, gebraucht.
Lieferung aus: Deutschland, Versandfertig in 1 - 2 Werktagen.
Von Händler/Antiquariat, Herb Tandree Philosophy Books.
Die Beschreibung dieses Angebotes ist von geringer Qualität oder in einer Fremdsprache. Trotzdem anzeigen
Von Händler/Antiquariat, Herb Tandree Philosophy Books.
Die Beschreibung dieses Angebotes ist von geringer Qualität oder in einer Fremdsprache. Trotzdem anzeigen
5
Zur analogen Großsignalaussteuerung von Feldeffekttransistoren unter Berücksichtigung des Subthreshold-Gebietes
DE NWISBN: 9783531030135 bzw. 3531030132, in Deutsch, Springer Science+Business Media, neu.
Lieferung aus: Deutschland, Lagernd.
Die Beschreibung dieses Angebotes ist von geringer Qualität oder in einer Fremdsprache. Trotzdem anzeigen
Die Beschreibung dieses Angebotes ist von geringer Qualität oder in einer Fremdsprache. Trotzdem anzeigen
6
Symbolbild
Zur Analogen Grosssignalaussteuerung Von Feldeffekttransistoren Unter Berucksichtigung Des Subthreshold-Gebietes (2014)
DE PB NWISBN: 9783531030135 bzw. 3531030132, in Deutsch, VS-Verlag, Wiesbaden, Deutschland, Taschenbuch, neu.
Von Händler/Antiquariat, Paperbackshop-US [8408184], Secaucus, NJ, U.S.A.
New Book. This item is printed on demand. Shipped from US This item is printed on demand.
New Book. This item is printed on demand. Shipped from US This item is printed on demand.
7
Symbolbild
Zur analogen Großsignalaussteuerung von Feldeffekttransistoren unter Berücksichtigung des Subthreshold-Gebietes
DE NW EBISBN: 9783322876706 bzw. 3322876705, in Deutsch, Springer Science+Business Media, neu, E-Book.
Lieferung aus: Deutschland, Lagernd.
Die Beschreibung dieses Angebotes ist von geringer Qualität oder in einer Fremdsprache. Trotzdem anzeigen
Die Beschreibung dieses Angebotes ist von geringer Qualität oder in einer Fremdsprache. Trotzdem anzeigen
8
Symbolbild
Zur analogen Grosignalaussteuerung von Feldeffekttransistoren unter Berucksichtigung des Subthreshold-Gebietes
~DE NW EB DLISBN: 9783322876706 bzw. 3322876705, vermutlich in Deutsch, Teubner, Leipzig, Deutschland, neu, E-Book, elektronischer Download.
Die Beschreibung dieses Angebotes ist von geringer Qualität oder in einer Fremdsprache. Trotzdem anzeigen
9
Zur analogen Grosignalaussteuerung von Feldeffekttransistoren unter Berucksichtigung des Subthreshold-Gebietes
DE NW EB DLISBN: 9783322876706 bzw. 3322876705, in Deutsch, VS Verlag Fur Sozialwissenschaften, neu, E-Book, elektronischer Download.
Lieferung aus: Deutschland, Versandkostenfrei.
Zur analogen Grosignalaussteuerung von Feldeffekttransistoren unter Berucksichtigung des Subthreshold-Gebietes: Ebook.
Zur analogen Grosignalaussteuerung von Feldeffekttransistoren unter Berucksichtigung des Subthreshold-Gebietes: Ebook.
Lade…