Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente (Halbleiter-Elektronik) (German Edition)
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Symbolbild
Konzepte Silizium-basierter MOS-Bauelemente
DE HC NW
ISBN: 9783540234371 bzw. 3540234373, in Deutsch, Springer, gebundenes Buch, neu.
Von Händler/Antiquariat, BuySomeBooks [52360437], Las Vegas, NV, U.S.A.
Hardcover. 429 pages. Dimensions: 9.3in. x 6.3in. x 1.2in.Das Buch beschreibt die Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente fr Logikanwendungen (CMOS), Speicheranwendungen (DRAM, SRAM, EEPROM) und leistungselektronische Anwendungen. Der Autor untersucht die Quellen, die in den vergangenen 30 Jahren diskutiert wurden. Er beschreibt, wie die einzelnen Konzepte technologisch umgesetzt wurden und geht auf die Vor- und Nachteile der Konzepte ein. Er erlutert die Funktionsweise und Charakteristiken der elektronischen Bauelemente, die mit dem jeweiligen Konzept realisiert wurden. Das Buch ist besonders geeignet fr Ingenieure und Physiker, die sich mit neuartigen bzw. alternativen Bauelementarchitekturen und deren Entwicklung beschftigen. This item ships from multiple locations. Your book may arrive from Roseburg,OR, La Vergne,TN.
Hardcover. 429 pages. Dimensions: 9.3in. x 6.3in. x 1.2in.Das Buch beschreibt die Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente fr Logikanwendungen (CMOS), Speicheranwendungen (DRAM, SRAM, EEPROM) und leistungselektronische Anwendungen. Der Autor untersucht die Quellen, die in den vergangenen 30 Jahren diskutiert wurden. Er beschreibt, wie die einzelnen Konzepte technologisch umgesetzt wurden und geht auf die Vor- und Nachteile der Konzepte ein. Er erlutert die Funktionsweise und Charakteristiken der elektronischen Bauelemente, die mit dem jeweiligen Konzept realisiert wurden. Das Buch ist besonders geeignet fr Ingenieure und Physiker, die sich mit neuartigen bzw. alternativen Bauelementarchitekturen und deren Entwicklung beschftigen. This item ships from multiple locations. Your book may arrive from Roseburg,OR, La Vergne,TN.
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Symbolbild
Konzepte Siliziumbasierter Mos-Bauelemente (2005)
DE NW RP
ISBN: 9783540234371 bzw. 3540234373, in Deutsch, Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH Co. KG, Germany, neu, Nachdruck.
Lieferung aus: Deutschland, Versandkostenfrei.
Von Händler/Antiquariat, The Book Depository EURO [60485773], Slough, United Kingdom.
Language: German Brand New Book ***** Print on Demand *****.Das Buch beschreibt die Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente fur Logikanwendungen (CMOS), Speicheranwendungen (DRAM, SRAM, EEPROM) und leistungselektronische Anwendungen. Der Autor untersucht die Quellen, die in den vergangenen 30 Jahren diskutiert wurden. Er beschreibt, wie die einzelnen Konzepte technologisch umgesetzt wurden und geht auf die Vor- und Nachteile der Konzepte ein. Er erlautert die Funktionsweise und Charakteristiken der elektronischen Bauelemente, die mit dem jeweiligen Konzept realisiert wurden. Das Buch ist besonders geeignet fur Ingenieure und Physiker, die sich mit neuartigen bzw. alternativen Bauelementarchitekturen und deren Entwicklung beschaftigen.
Von Händler/Antiquariat, The Book Depository EURO [60485773], Slough, United Kingdom.
Language: German Brand New Book ***** Print on Demand *****.Das Buch beschreibt die Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente fur Logikanwendungen (CMOS), Speicheranwendungen (DRAM, SRAM, EEPROM) und leistungselektronische Anwendungen. Der Autor untersucht die Quellen, die in den vergangenen 30 Jahren diskutiert wurden. Er beschreibt, wie die einzelnen Konzepte technologisch umgesetzt wurden und geht auf die Vor- und Nachteile der Konzepte ein. Er erlautert die Funktionsweise und Charakteristiken der elektronischen Bauelemente, die mit dem jeweiligen Konzept realisiert wurden. Das Buch ist besonders geeignet fur Ingenieure und Physiker, die sich mit neuartigen bzw. alternativen Bauelementarchitekturen und deren Entwicklung beschaftigen.
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Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente
DE NW EB
ISBN: 9783540234371 bzw. 3540234373, in Deutsch, Springer Berlin Heidelberg, neu, E-Book.
Lieferung aus: Vereinigte Staaten von Amerika, E-Book zum download.
Technology, Das Buch beschreibt die Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente fr Logikanwendungen (CMOS), Speicheranwendungen (DRAM, SRAM, EEPROM) und leistungselektronische Anwendungen. Der Autor untersucht die Quellen, die in den vergangenen 30 Jahren diskutiert wurden. Er beschreibt, wie die einzelnen Konzepte technologisch umgesetzt wurden und geht auf die Vor- und Nachteile der Konzepte ein. Er erlutert die Funktionsweise und Charakteristiken der elektronischen Bauelemente, die mit dem jeweiligen Konzept realisiert wurden. Das Buch ist besonders geeignet fr Ingenieure und Physiker, die sich mit neuartigen bzw. alternativen Bauelementarchitekturen und deren Entwicklung beschftigen. eBook.
Technology, Das Buch beschreibt die Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente fr Logikanwendungen (CMOS), Speicheranwendungen (DRAM, SRAM, EEPROM) und leistungselektronische Anwendungen. Der Autor untersucht die Quellen, die in den vergangenen 30 Jahren diskutiert wurden. Er beschreibt, wie die einzelnen Konzepte technologisch umgesetzt wurden und geht auf die Vor- und Nachteile der Konzepte ein. Er erlutert die Funktionsweise und Charakteristiken der elektronischen Bauelemente, die mit dem jeweiligen Konzept realisiert wurden. Das Buch ist besonders geeignet fr Ingenieure und Physiker, die sich mit neuartigen bzw. alternativen Bauelementarchitekturen und deren Entwicklung beschftigen. eBook.
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Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente
DE US
ISBN: 9783540234371 bzw. 3540234373, in Deutsch, Springer Berlin Heidelberg, Springer Berlin Heidelberg, Springer Berlin Heidelberg, gebraucht.
Lieferung aus: Vereinigte Staaten von Amerika, zzgl. Versandkosten, Free Shipping on eligible orders over $25.
Unter den Konzepten für siliziumbasierte MOS-Bauelemente finden sich neben dem klassischen Lateralkonzept Vertikal- und Quasivertikalkonzepte. Das Buch widmet sich der Erörterung der (quasi)vertikalen MOS-Bauelementkonzepte für Logikanwendungen (CMOS), Speicheranwendungen (DRAM, SRAM, EEPROM) und leistungselektronische Anwendungen. Der Autor stützt sich auf ein umfängliches Quellenmaterial, das in den vergangenen 30 Jahren diskutiert wurde. Er beschreibt, wie die einzelnen Konzepte technologisch umgesetzt wurden und geht auf die Vor- und Nachteile der Konzepte ein. Er erläutert die Funktionsweise und Charakteristiken der elektronischen Bauelemente, die mit dem jeweiligen Konzept realisiert wurden, und untersucht die Relevanz, die (quasi)vertikale Konzepte für die siliziumbasierte MOS-Technologie erlangen können. Das Buch ist besonders geeignet für Ingenieure und Physiker, die sich mit neuartigen bzw. alternativen Bauelementarchitekturen und deren Entwicklung beschäftigen.
Unter den Konzepten für siliziumbasierte MOS-Bauelemente finden sich neben dem klassischen Lateralkonzept Vertikal- und Quasivertikalkonzepte. Das Buch widmet sich der Erörterung der (quasi)vertikalen MOS-Bauelementkonzepte für Logikanwendungen (CMOS), Speicheranwendungen (DRAM, SRAM, EEPROM) und leistungselektronische Anwendungen. Der Autor stützt sich auf ein umfängliches Quellenmaterial, das in den vergangenen 30 Jahren diskutiert wurde. Er beschreibt, wie die einzelnen Konzepte technologisch umgesetzt wurden und geht auf die Vor- und Nachteile der Konzepte ein. Er erläutert die Funktionsweise und Charakteristiken der elektronischen Bauelemente, die mit dem jeweiligen Konzept realisiert wurden, und untersucht die Relevanz, die (quasi)vertikale Konzepte für die siliziumbasierte MOS-Technologie erlangen können. Das Buch ist besonders geeignet für Ingenieure und Physiker, die sich mit neuartigen bzw. alternativen Bauelementarchitekturen und deren Entwicklung beschäftigen.
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Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente (Halbleiter-Elektronik) (2005)
DE HC NW
ISBN: 9783540234371 bzw. 3540234373, in Deutsch, 429 Seiten, 2005. Ausgabe, Springer, gebundenes Buch, neu.
Lieferung aus: Deutschland, Gewöhnlich versandfertig in 24 Stunden.
Von Händler/Antiquariat, Amazon.de.
Die Beschreibung dieses Angebotes ist von geringer Qualität oder in einer Fremdsprache. Trotzdem anzeigen
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