Amorphous and Crystalline Silicon Carbide IV: Proceedings of the 4th International Conference, Santa Clara, CA, October 9–11, 1991: Proceedings of the . (Springer Proceedings in Physics, Band 71)
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Amorphous and Crystalline Silicon Carbide IV: Proceedings of the 4th International Conference, Santa Clara, CA, October 10-11, 1991 (Springer Proceedings in Physics) (1992)
EN HC US FEISBN: 9783540556879 bzw. 3540556877, in Englisch, 432 Seiten, Springer, gebundenes Buch, gebraucht, Erstausgabe.
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Silicon carbide and other group IV-IV materials in their amorphous, microcrystalline, and crystalline forms have a wide variety of applications.The contributions to this volume report recent developments and trends in the field. The purpose is to make available the current state of understanding of the materials and their potential applications. Eachcontribution focuses on a particular topic, such as preparation methods, characterization, and models explaining experimental findings. The volume also contains the latest results in the exciting field of SiGe/Si heterojunction bipolar transistors. The reader will find this book valuable as a reference source, an up-to-date and in-depth overview of this field, and, most importantly, as a window into the immense range of reading potential applications of silicon carbide. It is essential for scientists, engineers and students interested in electronic materials, high-speed heterojunction devices, and high-temperature optoelectronics. Hardcover, Ausgabe: 1, Label: Springer, Springer, Produktgruppe: Book, Publiziert: 1992-12-17, Studio: Springer, Verkaufsrang: 10570430.
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Silicon carbide and other group IV-IV materials in their amorphous, microcrystalline, and crystalline forms have a wide variety of applications.The contributions to this volume report recent developments and trends in the field. The purpose is to make available the current state of understanding of the materials and their potential applications. Eachcontribution focuses on a particular topic, such as preparation methods, characterization, and models explaining experimental findings. The volume also contains the latest results in the exciting field of SiGe/Si heterojunction bipolar transistors. The reader will find this book valuable as a reference source, an up-to-date and in-depth overview of this field, and, most importantly, as a window into the immense range of reading potential applications of silicon carbide. It is essential for scientists, engineers and students interested in electronic materials, high-speed heterojunction devices, and high-temperature optoelectronics. Hardcover, Ausgabe: 1, Label: Springer, Springer, Produktgruppe: Book, Publiziert: 1992-12-17, Studio: Springer, Verkaufsrang: 10570430.
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Amorphous and Crystalline Silicon Carbide IV. Proceedings of the 4th International Conference, Santa Clara, CA, October 10-11, 1991 (Springer Proceedings in Physics) (1993)
EN USISBN: 9783540556879 bzw. 3540556877, in Englisch, 444 Seiten, Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. K, gebraucht.
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Amorphous and Crystalline Silicon Carbide IV
DE NW EBISBN: 9783540556879 bzw. 3540556877, in Deutsch, Springer Berlin Heidelberg, neu, E-Book.
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EN HC NW RPISBN: 9783540556879 bzw. 3540556877, in Englisch, 432 Seiten, Springer, gebundenes Buch, neu, Nachdruck.
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Amorphous and Crystalline Silicon Carbide IV: Proceedings of the 4th International Conference, Santa Clara, CA, October 9–11, 1991: Proceedings of the . (Springer Proceedings in Physics, Band 71) (1992)
EN HC NW RPISBN: 9783540556879 bzw. 3540556877, Band: 71, in Englisch, 432 Seiten, Springer, gebundenes Buch, neu, Nachdruck.
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DE HC USISBN: 9783540556879 bzw. 3540556877, in Deutsch, Springer, Berlin/Heidelberg, Deutschland, gebundenes Buch, gebraucht.
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Amorphous and Crystalline Silicon Carbide IV: Proceedings of the 4th International Conference, Santa Clara, CA, October 9–11, 1991 (Springer Proceedings in Physics) (1992)
~EN HC USISBN: 9783540556879 bzw. 3540556877, vermutlich in Englisch, Springer, gebundenes Buch, gebraucht.
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