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100%: Sverdlov, Viktor: Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs als von (ISBN: 9783709119334) 2016, Springer, in Englisch, Broschiert.Nur diese Ausgabe anzeigen…
71%: Sverdlov, Viktor: Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs (Computational Microelectronics) (ISBN: 9783709103814) 2010, in Deutsch, Broschiert.Nur diese Ausgabe anzeigen…
Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs als von - 10 Angebote vergleichen
Bester Preis: € 134,99 (vom 01.09.2017)1
Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
DE PB NWISBN: 9783709119334 bzw. 3709119332, in Deutsch, Springer, Taschenbuch, neu.
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Von Händler/Antiquariat, buecher.de GmbH & Co. KG, [1].
Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given. Versandfertig in 3-5 Tagen, Softcover, Neuware, offene Rechnung (Vorkasse vorbehalten).
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Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given. Versandfertig in 3-5 Tagen, Softcover, Neuware, offene Rechnung (Vorkasse vorbehalten).
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs als von Viktor Sverdlov
DE HC NWISBN: 9783709119334 bzw. 3709119332, in Deutsch, gebundenes Buch, neu.
Lieferung aus: Deutschland, zzgl. Versandkosten.
Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs ab 181.99 EURO Softcover reprint of the original 1st ed. 2011. Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs ab 181.99 EURO Softcover reprint of the original 1st ed. 2011.
Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs ab 181.99 EURO Softcover reprint of the original 1st ed. 2011. Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs ab 181.99 EURO Softcover reprint of the original 1st ed. 2011.
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs als von
DE HC NWISBN: 9783709119334 bzw. 3709119332, in Deutsch, Springer, gebundenes Buch, neu.
Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs:Softcover reprint of the original 1st ed. 2011. Viktor Sverdlov Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs:Softcover reprint of the original 1st ed. 2011. Viktor Sverdlov.
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs (2016)
DE PB NW RPISBN: 9783709119334 bzw. 3709119332, in Deutsch, Springer, Taschenbuch, neu, Nachdruck.
Von Händler/Antiquariat, European-Media-Service Mannheim [1048135], Mannheim, Germany.
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Symbolbild
Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs (2010)
DE NWISBN: 9783709103814 bzw. 3709103819, in Deutsch, Springer-Verlag KG Dez 2010, neu.
Von Händler/Antiquariat, AHA-BUCH GmbH [51283250], Einbeck, Germany.
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs (2016)
EN PB NW RPISBN: 9783709119334 bzw. 3709119332, in Englisch, 268 Seiten, Springer, Taschenbuch, neu, Nachdruck.
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Von Händler/Antiquariat, averdo24.
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Symbolbild
Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs (2010)
DE HC USISBN: 9783709103814 bzw. 3709103819, in Deutsch, Springer, gebundenes Buch, gebraucht.
Von Händler/Antiquariat, Herb Tandree Philosophy Books [17426], Stroud, UK, United Kingdom.
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