Springer Handbook COLLECTION Crystal Growth Manual (2): melt method of crystal growth technology (photocopy edition)(Chinese Edition)
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( MEI ) DE HA NA LA ( Govindhan Dhanaraj ) . DENG

Springer Handbook COLLECTION Crystal Growth Manual (2): melt method of crystal growth technology (photocopy edition)(Chinese Edition) (2013)

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ISBN: 9787560338675 bzw. 7560338674, Sprache unbekannt, Taschenbuch, neu.

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paperback. New. Ship out in 2 business day, And Fast shipping, Free Tracking number will be provided after the shipment.Paperback. Pub Date: 2013 Pages: 354 Language: English Publisher: Harbin Engineering University Press the Springer Handbook Featured Crystal Growth Manual (2): melt crystal growth technology (photocopy) Introduction material crystals melt growth. a key to the growth of large-size crystal. This part describes the Czochralski crystal craft. Kyropoulos. bridgman floating zone melting process. as well as the latest developments of these methods. such as the application of a magnetic field of crystal growth. the growth axis orientation. increased substrate and shape Control. This section relates to material from silicon and -V family compound to the broad content of the oxides and fluorides. Contents: Abbreviations PartB. melt crystal growth technology. Indium phosphide: crystal growth and defects with a stable magnetic field control magnetic field 7.2 7.1 Historical Summary liquid to cover the dislocation density of the magnetic field of the contact surface of the melt growth method 7.3 7.4 7.5 magnetic flow impurities isolated 7.6 InP: Fe optical characteristics 7.7 Summary References 8. semiconductor Czochralski Silicon solar cell applications Czochralski Silicon crystals 8.1 laser scanning light scattering technique for the growth of silicon single crystal and solar cell applications 8.2 defects control 8.3 solar cell applications the polysilicon growth and characteristics 8.4 summarizes the reference literature 9. oxide light photorefractive single crystal Czochralski growth method 9.1 Background 9.2 crystal growth of 9.3 Czochralski growth system design and development 9.4 niobate crystal of lithium Growth and Characterization of 9.5 other oxides photorefractive crystal 9.6 soft bismuthinite crystal growth and its characteristics 9.7 Conclusion References 10. ternary compound -V semiconductors 10.1 -V family of ternary compound semiconductor crystal growth material demand ternary compound substrate 10.2 10.3 device level the ternary compound substrate standard 10.4 bridgman crystal growth technology 10.5 -V family of binary compound crystal growth technology Summary of Phase Equilibria 10.7 10.6 ternary compound ternary compound semiconductor alloy single crystal the ternary compound seed production the solute with process homogeneous alloy growth process 10.10 10.11 melt - solid interface shape role segregation 10.8 ternary compound crystal formation of cracks 10.9 10.12 Conclusion References 11 for infrared detectors 11.1 antimony-based semiconductor antimony-based narrow band gap -V semiconductor crystal growth and characterization of the importance of 11.2 11.3 crystal structure of the phase diagram and bonding 11.4 material synthesis and purification the 11.5 body of material InSb growth of 11.6 InSb. InAsxSbl-x.InBixSbl the physical properties of the structural properties of the-x 11.7 InSb. InAsxSb1_x.InBixSb1_x 11.8 Application 11.9 Conclusion and outlook References 12 optical floating zone technique for the growth of oxide crystals 12.1 History 12.2 optical floating zone application of technology - oxide 12.3 optical floating District and dissolved mobile crystal growth technology 12.4 floating zone technique advantages and limitations ceramic ingot growth of 12.6 OFZT 12.5 optical floating zone furnace experimental details 12.7 the same composition and stability of the different components of the molten oxide growth 12.8 structure is too cold and crystalline before stability 12.9 termination of crystal growth and cooling the 12.10 0FZ technology of crystal growth characteristics 12.11 Determination of crystal defects - experimental methods in 12.12 0FZ and the TSFZ method selected the specific conditions for the growth of oxide single crystals ...... 13 laser-heated pedestal growth oxide fibers 14. shell financial technology synthetic high melting point materials 15 laser matrix fluoride and oxide materials Growth 16. forming crystal growth references Satisfaction guaranteed,or money back.
Daten vom 01.03.2017 21:39h
ISBN (andere Schreibweisen): 7-5603-3867-4, 978-7-5603-3867-5
Zuerst gefunden: 01.03.2017 21:39:33
Zuletzt gefunden: 13.07.2021 16:54:23
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